一种宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构及封装方法
基本信息
| 申请号 | CN201810475345.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108615712A | 公开（公告）日 | 2018-10-02 |
| 申请公布号 | CN108615712A | 申请公布日 | 2018-10-02 |
| 分类号 | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张浩 | 申请（专利权）人 | 江苏芯澄半导体有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 任立 |
| 地址 | 212200 江苏省镇江市扬中市三茅街道春柳北路888号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种宽禁带半导体碳化硅功率器件封装结构及封装方法，涉及碳化硅功率器件封装技术领域。包括正电极和负电极，所述正电极和负电极之间设有碳化硅功率器件，所述负电极下方设有封装基板，所述封装基板外侧设有外壳，所述封装基板下方设有散热器，所述封装基板和负电极之间设有导热层；所述导热层包括数个导热排，每个导热排包括多个相互抵触的导热金属球，所述导热金属球一端与负电极粘结，另一端与封装基板粘结，且相邻导热排的所述导热金属球之间相互抵触，并形成散热间隙。本发明可以快速有效的实现对器件内部进行散热，使内部工作环境温度较低，从而提高使用寿命。 |
