一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构
基本信息
| 申请号 | CN201810473913.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108649022B | 公开（公告）日 | 2020-04-10 |
| 申请公布号 | CN108649022B | 申请公布日 | 2020-04-10 |
| 分类号 | H01L23/373;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/40 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张浩 | 申请（专利权）人 | 江苏芯澄半导体有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 任立 |
| 地址 | 212200 江苏省镇江市扬中市三茅街道春柳北路888号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构，涉及碳化硅功率模块封装技术领域，包括碳化硅功率器件和连接各碳化硅功率器件的排线组，还包括隔离衬板，碳化硅功率器件穿设在隔离衬板上，且每两个碳化硅功率器件为一组，每组两碳化硅功率器件的接线通道相对设置，隔离板外设有扣合碳化硅功率器件的壳体，壳体包括分别设于隔离板两侧的上壳体和下壳体。本发明通过预制壳体对碳化硅功率器件进行定位，使并联的碳化硅功率器件整体更稳定，机械强度更高。 |
