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一种用于晶体硅异质结太阳电池的透明导电氧化物薄膜及其制备方法

基本信息

申请号 CN201510256552.3 申请日 -
公开（公告）号 CN104900727A 公开（公告）日 2015-09-09
申请公布号 CN104900727A 申请公布日 2015-09-09
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 彭铮;李媛媛;黄海宾;刘超;张闻斌;周国平;彭德香;周浪 申请（专利权）人 上海中智光纤通讯有限公司
代理机构 上海泰能知识产权代理事务所 代理人 上海中智光纤通讯有限公司;中智（泰兴）电力科技有限公司
地址 201108 上海市闵行区金都路4299号208室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种用于晶体硅异质结太阳电池的透明导电氧化物薄膜及其制备方法，所述透明导电氧化物薄膜为氧化铟钛ITIO薄膜，其中钛与铟的原子个数比为0.2-5.0％。制备方法包括：采用磁控溅射法在依次沉积了本征钝化层和重掺杂非晶硅薄膜且制成了金字塔绒面的基底上沉积ITIO薄膜。本发明相比于ITO和IWO薄膜，同等条件下可减小异质结太阳电池的串联电阻和透明导电与氧化物层的遮光损失，从而提高太阳电池的开路电压、填充因子、短路电流和转换效率，具备良好的应用前景。