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一种异质结晶硅太阳电池钝化层的热处理方法

基本信息

申请号 CN201210042844.3 申请日 -
公开（公告）号 CN102544234B 公开（公告）日 2016-02-17
申请公布号 CN102544234B 申请公布日 2016-02-17
分类号 H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 黄海宾;王巍;李媛媛;周浪;魏秀琴;周潘兵 申请（专利权）人 上海中智光纤通讯有限公司
代理机构 上海泰能知识产权代理事务所 代理人 黄志达;谢文凯
地址 201108 上海市闵行区金都路4299号208室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种异质结晶硅太阳电池钝化层的热处理方法，包括：采用PECVD法或热丝CVD法制备异质结晶硅太阳电池钝化层薄膜，以PECVD法中产生的含氢等离子体的氢气气氛，对钝化层的硅片于200～300℃处理1min～60min；或者是以热丝CVD法产生的含氢原子的氢气气氛，对钝化层的硅片于200～300℃处理1min～60min。本发明可改善钝化层对硅片表面的钝化效果，从而提高太阳电池的转换效率，并且相比于常规的惰性气体气氛、氢气气氛或真空热处理工艺，可大大缩短热处理工艺时间，提高生产效率，具有良好的应用前景。