一种异质结太阳电池

基本信息

申请号 CN201220061130.2 申请日 -
公开(公告)号 CN202549860U 公开(公告)日 2012-11-21
申请公布号 CN202549860U 申请公布日 2012-11-21
分类号 H01L31/0352(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李正平;彭铮;李媛媛;沈文忠;华夏;彭德香;温超 申请(专利权)人 上海中智光纤通讯有限公司
代理机构 上海泰能知识产权代理事务所 代理人 上海中智光纤通讯有限公司;中智(泰兴)电力科技有限公司
地址 201108 上海市闵行区金都路4299号208室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及一种异质结太阳电池。该电池包括以N型单晶硅材料制成的衬底,所述衬底正面侧依次沉积本征层、P型非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和正面金属电极;所述衬底背面侧依次沉积本征层、N型非晶硅薄膜层,透明导电氧化物薄膜层和背面金属电极;所述的本征层是本征非晶硅薄膜层或本征非晶硅氧薄膜层,厚度为3~20nm。本实用新型通过在硅片的正面和背面插入本征层材料,使得光电转换效率得到提高。