一种三维堆叠封装结构及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110499384.6 申请日 -
公开(公告)号 CN113284867A 公开(公告)日 2021-08-20
申请公布号 CN113284867A 申请公布日 2021-08-20
分类号 H01L23/473(2006.01)I;H01L23/42(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 张文雯;曹立强;周云燕;苏梅英;陈钏;侯峰泽 申请(专利权)人 上海先方半导体有限公司
代理机构 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 代理人 薛异荣
地址 214000江苏省无锡市新吴区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种三维堆叠封装结构及其制备方法,三维堆叠封装结构包括:相对设置的下基板和上基板;位于下基板和上基板之间的第一芯片,第一芯片与下基板电学连接;第一微流道液冷板,位于上基板和下基板之间且设置于第一芯片背离下基板的一侧;第二芯片,设置于上基板背向第一微流道液冷板的一侧,第二芯片与上基板电学连接。第一芯片产生的热量能够以较短的路径传输至第一微流道液冷板以对第一芯片进行散热,提高了第一芯片的散热效果,避免由于结温过高导致第一芯片失效。第二芯片产生的热量也能够通过第一微流道液冷板进行散热,提高了第二芯片的散热效果。综上,第一微流道液冷板的设置提高了三维堆叠封装结构的散热效果。