一种半导体结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110379707.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113130316A | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN113130316A | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01L21/308 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 范俊;曹立强 | 申请（专利权）人 | 上海先方半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 薛异荣 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市新吴区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：提供晶圆组，晶圆组包括第一晶圆至第N晶圆，N为大于等于3的整数；在第k晶圆的正面的部分区域嵌入第k阻挡层，k为大于等于3且小于等于N的整数；在第一晶圆的背面的部分区域嵌入第一阻挡层；形成第k2阻挡层之后，键合第k2晶圆的正面和第k1晶圆的背面,k2‑k1＝1，k2为大于等于3且小于等于N的整数；形成第一阻挡层之后，键合第一晶圆的背面和第二晶圆的正面；以第一阻挡层、以及第三阻挡层至第N阻挡层为掩膜，从第一晶圆的正面刻蚀第一晶圆至第N晶圆，以在第一晶圆至第N晶圆中形成多台阶凹槽。多台阶凹槽的底部平整，形貌良好，精度较高。 |
