在锆合金表面制备SiC涂层的方法及其应用

基本信息

申请号 CN201810840302.8 申请日 -
公开(公告)号 CN108754452B 公开(公告)日 2020-04-10
申请公布号 CN108754452B 申请公布日 2020-04-10
分类号 C23C16/32;C23C16/513;C23C16/02;C23G1/10 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 刘艳红;胡庆;谭瑞轩;王晓婧;陈邦明;刘璐;黄泽兰;李怀林;周煜;郑明珉;甘真 申请(专利权)人 崇义恒毅陶瓷复合材料有限公司
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 国家电投集团科学技术研究院有限公司;崇义恒毅陶瓷复合材料有限公司
地址 102209 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及在锆合金表面制备SiC涂层的方法及其应用。该方法包括:将锆合金表面进行抛光处理;将进行抛光处理后的锆合金进行酸洗处理;利用等离子体增强化学气相沉积方法,在经过酸洗处理的锆合金的表面上形成SiC涂层;对SiC涂层进行等离子体轰击处理,等离子体轰击处理的工艺参数为:底部温度200‑550℃,真空度10‑190Pa,Ar流量160‑400sccm,H2流量40‑280sccm,放电功率40‑600W,处理时间10‑60min;于等离子体轰击处理温度下对经过等离子轰击处理的SiC涂层保温5‑20h。该方法制备所得的SiC涂层的结晶度高,与锆合金的结合力强,不易发生大面积剥落。