一种红外激光器制备多晶硅薄膜的方法

基本信息

申请号 CN201710034804.7 申请日 -
公开(公告)号 CN107910242A 公开(公告)日 2018-04-13
申请公布号 CN107910242A 申请公布日 2018-04-13
分类号 H01L21/02 分类 基本电气元件;
发明人 郭小伟;徐文龙;杨承;李绍荣;邹渝 申请(专利权)人 南京新创力光电科技有限公司
代理机构 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 代理人 康潇
地址 210038 江苏省南京市经济技术开发区恒达路3号科创基地502室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于多晶硅领域,具体涉及一种红外激光制备多晶硅薄膜的方法,在玻璃衬底上沉积氧化硅、氮化硅等形成缓冲层,在缓冲层上沉积非晶硅薄膜,使用红外连续激光扫描非晶硅薄膜,可以得到晶粒尺寸大,缺陷少的高质量多晶硅薄膜。