一种高质量多晶硅薄膜的制备方法和制备装置
基本信息
| 申请号 | CN201710499560.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109137063A | 公开（公告）日 | 2019-01-04 |
| 申请公布号 | CN109137063A | 申请公布日 | 2019-01-04 |
| 分类号 | C30B28/04;C30B29/06;C30B30/00 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 郭小伟;王大帅;杨承;李绍荣;邹渝 | 申请（专利权）人 | 南京新创力光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 常州佰业腾飞专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 滕诣迪 |
| 地址 | 210038 江苏省南京市南京经济技术开发区恒达路3号科创基地502室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开的一种高质量多晶硅薄膜的制备方法和制备装置，包括：提供衬底，在所述衬底上设置非晶硅薄膜，在所述非晶硅薄膜上设置单晶硅薄膜，利用激光束透过所述衬底对所述非晶硅薄膜进行扫描，所述激光束到达所述非晶硅薄膜时，所述非晶硅薄膜上与所述单晶硅薄膜相接触的部位最先被所述激光束扫描到，以所述单晶硅薄膜作为籽晶层，所述非晶硅薄膜在所述激光束的作用下熔融再结晶，形成多晶硅薄膜；本发明制备出的多晶硅的质量趋近于单晶硅，适用于半导体材料制造领域。 |
