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双浅沟槽隔离的形成方法

基本信息

申请号 CN201410457676.3 申请日 -
公开（公告）号 CN104201146B 公开（公告）日 2016-11-23
申请公布号 CN104201146B 申请公布日 2016-11-23
分类号 H01L21/76(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 王永刚;李杰 申请（专利权）人 格科微电子（浙江）有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 吴圳添;骆苏华
地址 201203 上海市浦东新区盛夏路560弄2号楼11F
法律状态 -

摘要

摘要 一种双浅沟槽隔离的形成方法，包括：在基底表面形成氧化层和硬掩膜层，所述基底具有第一区域与第二区域；刻蚀所述第一区域上的所述硬掩膜层和氧化层，直至暴露出所述基底表面，被暴露的所述基底表面形成第一部分区域；以所述硬掩膜层为掩膜进一步刻蚀所述第一部分区域形成第一浅沟槽；保护所述第一浅沟槽，并刻蚀所述第二区域上的所述硬掩膜层和氧化层，直至暴露出所述基底表面，被暴露的所述基底表面形成第二部分区域；以所述硬掩膜层为掩膜进一步刻蚀所述第一浅沟槽与所述第二部分区域，直至第一浅沟槽形成第三浅沟槽，并形成所述第二区域的第二浅沟槽。采用所述方法形成的双浅沟槽隔离形状稳定，均一性高，形貌好。