复合导电屏蔽材料的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201110322871.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102373446B | 公开（公告）日 | 2013-07-31 |
| 申请公布号 | CN102373446B | 申请公布日 | 2013-07-31 |
| 分类号 | C23C18/24(2006.01)I;C23C18/28(2006.01)I;C23C18/40(2006.01)I;C23C18/42(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 冯立明;孙延明;刘延庆;杨茂德 | 申请（专利权）人 | 山东中特防科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 济南泉城专利商标事务所 | 代理人 | 山东中特防科技发展有限公司 |
| 地址 | 250200 山东省济南市章丘市创业路一号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种复合导电屏蔽材料的制备方法，完全采用化学沉积法制备，该方法具有流程短、成本低、环保的突出优点。本发明采用的技术方案如下：一种复合导电屏蔽材料的制备方法，其特征在于：在聚酯类或聚酰胺类非导电材料表面上运用化学浴沉积方法镀覆铜层和银层，工艺流程为：聚酯类或聚酰胺类非导电材料表面化学预处理、化学镀铜、水洗、化学镀银、防变色处理，化学预处理过程是在：盐酸8-15ml/l，氯化钯0.1-0.6g/l，氯化亚锡10-16g/l的化学溶液中进行，处理时间为10-15min，处理温度在20-35℃。 |
