改善HIT电池电极接触电阻和电导率的方法、电极制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201911044429.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110854216B | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN110854216B | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张磊;段晶晶;郭明波 | 申请（专利权）人 | 上海润势科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海海钧知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 姜波 |
| 地址 | 201104上海市闵行区春申路1955号13幢204-4室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种改善HIT电池电极接触电阻和电导率的方法、电极制作方法，包括：在硅片表面制作纳米金属层作为种子层，进行第一热处理，第一热处理采用激光选区辐照，对种子层进行扫描式辐照；在种子层表面包覆导电层浆料，导电层浆料将种子层完全覆盖，不露出不漏出种子层，并与硅片表面TCO层接触；将种子层覆盖了导电层浆料后的硅片进行第二热处理，使种子层表面的导电浆料固化，与种子层一起形成电极。本申请通过种子层第一热处理+硅片第二热处理的方式，可以显著的降低接触电阻，同时可以显著的降低副栅线的电阻率，从而大幅度降低光生电流从HIT电池基体到主栅之间的传导电阻。 |
