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一种高门槛高管压降大功率二极管

基本信息

申请号	CN202021900031.X	申请日	-
公开（公告）号	CN212907714U	公开（公告）日	2021-04-06
申请公布号	CN212907714U	申请公布日	2021-04-06
分类号	H01L23/38(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	谢伟;葛洲;黎兴源;黄珂;杨莹冰;葛铁军;王益;张开元;耿星洁;周良;潘琪;周玮;陈启德	申请（专利权）人	珠海南自电气系统工程有限公司
代理机构	成都禾创知家知识产权代理有限公司	代理人	裴娟
地址	518026广东省深圳市莲花街道福中社区福中一路1016号
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及一种高门槛高管压降大功率二极管，包括二极管芯片，二极管芯片下方设有第一隔离层，第一隔离层下方设有多组半导体PN结，半导体PN结包括一个N型半导体和一个P型半导体；N型半导体上端通过上导电层与同组P型半导体连接，下端通过下导电层与相邻半导体PN结的P型半导体连接；半导体PN结下方设有第二隔离层；第二隔离层下方设有热沉；左端半导体PN结中N型半导体的下端通过下导电层连接正散热引脚；右端半导体PN结中P型半导体的下端通过下导电层连接负散热引脚。本新型与二极管生产的IC工艺兼容，制冷密度大，无运动部件散热造成的部件磨损，而且结构紧凑，有效提高集成度，并集成了热沉增加了与外界环境的热交换。