获得高品级SiC晶须的分离工艺
基本信息
| 申请号 | CN94117781.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1048659C | 公开（公告）日 | 2000-01-26 |
| 申请公布号 | CN1048659C | 申请公布日 | 2000-01-26 |
| 分类号 | B03B7/00 | 分类 | 用液体或用风力摇床或风力跳汰机分离固体物料；从固体物料或流体中分离固体物料的磁或静电分离；高压电场分离〔5〕; |
| 发明人 | 郭梦熊;徐桦;安征;陈材;任子敏;邵绪新;夏云凯 | 申请（专利权）人 | 北京维斯克复合材料技术有限责任公司 |
| 代理机构 | 三高专利事务所 | 代理人 | 吴凤英 |
| 地址 | 100083北京市海淀区学院路丁11号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种从烧结的SiC晶须粗料中获得高品级SiC晶须产品的分离工艺，其特征在于经粉碎的物料两次调浆后进行反浮选，其尾矿再进行旋流器分离，或者采用正浮选处理，中矿采用旋流器组或快速摇床处理，该工艺过程进行合理组合可用于易处理和难处理物料的分离，分别得到高品级SiC-w产品，其品级达９７—９８％，平均直径１．０，１．５和≥３．０μm，为高科技领域复合材料提供优质增强剂，该工艺分离效果好，节省药剂，设备互换性好，操作简单。 |
