一种化学气相沉积装置及其清洁方法
基本信息
| 申请号 | CN201510218357.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106191809B | 公开（公告）日 | 2018-12-25 |
| 申请公布号 | CN106191809B | 申请公布日 | 2018-12-25 |
| 分类号 | C23C16/44;C23C16/455 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 杜志游;幸沛锦;范文远;姜银鑫 | 申请（专利权）人 | 南昌中微半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 中微半导体设备（上海）有限公司;中微半导体设备（上海）股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司 |
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种化学气相沉积装置，包括：反应腔，位于反应腔上方的反应区域和位于反应腔底部的排气区域，联通到反应腔外部的抽气装置；所述排气区域包括一个隔离装置，将排气区域分隔为内外排布的一个排气腔和一个存储腔，所述隔离装置包括一个侧壁，侧壁上开设有气体开口使排气腔和存储腔之间联通，所述排气区域还包括一个可上下移动的刮擦部件，其可以在所述排气口的上下两端之间移动。 |
