一种MOCVD反应器的处理方法
基本信息
| 申请号 | CN201510083854.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105986243B | 公开（公告）日 | 2018-07-24 |
| 申请公布号 | CN105986243B | 申请公布日 | 2018-07-24 |
| 分类号 | C23C16/44 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 郭泉泳;杜志游 | 申请（专利权）人 | 南昌中微半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 中微半导体设备（上海）有限公司;中微半导体设备（上海）股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司 |
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种MOCVD反应器的处理方法，本发明通过在预处理阶段循环执行金属有机气体反应。所述处理方法包括预处理流程和晶体生长流程，其中预处理流程中包括金属有机气体反应步骤和含氧气体反应步骤，交替执行金属有机气体反应步骤和含氧气体反应步骤，直到完成对反应腔内喷淋头的预处理。其中预处理流程中，通过控制冷却液供应系统来控制喷淋头具有第一温度，在晶体生长流程中喷淋头具有第二温度，第一温度大于第二温度。 |
