一种等离子处理装置运行方法
基本信息
| 申请号 | CN201510747995.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106683969B | 公开（公告）日 | 2018-09-11 |
| 申请公布号 | CN106683969B | 申请公布日 | 2018-09-11 |
| 分类号 | H01J37/32;H01L21/67 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙超;彭帆;倪图强 | 申请（专利权）人 | 南昌中微半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 中微半导体设备（上海）有限公司;中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种等离子处理装置运行方法，所述等离子处理装置包括：反应腔，位于反应腔内下方的基座，一个射频电源连接到所述基座内的电极，一个基片固定装置设置于所述基座上，基片固定在所述基片固定装置上方，一个聚焦环围绕所述基片固定装置且位于所述电极上方，一个加热电源通过一个可控开关连接到加热装置，所述运行方法包括：交替进行的刻蚀步骤和清洁步骤，刻蚀步骤中执行刻蚀工艺：断开可控开关通入刻蚀气体，施加具有第一功率的射频功率到所述反应腔；清洁步骤中，移除刻蚀完成的基片，通入含氧的清洁气体，施加具有第二功率的射频功率到所述反应腔，导通所述可控开关使得加热电路对聚焦环加热；其中第一功率大于第二功率。 |
