化学气相沉积反应器或外延层生长反应器及其支撑装置
基本信息
| 申请号 | CN201510488320.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105088187B | 公开（公告）日 | 2018-09-18 |
| 申请公布号 | CN105088187B | 申请公布日 | 2018-09-18 |
| 分类号 | C23C16/44;C23C16/458 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 尹志尧;姜勇 | 申请（专利权）人 | 南昌中微半导体设备有限公司 |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 中微半导体设备（上海）有限公司;中微半导体设备（上海）股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司 |
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种化学气相沉积反应器或外延层生长反应器，包括一反应腔，所述反应腔内设置至少一基片承载架和一用于支撑所述基片承载架的支撑装置，所述基片承载架包括一第一表面和一第二表面，所述基片承载架的第二表面设置有至少一个向内凹陷的凹进部；所述支撑装置包括：主轴部；与所述主轴部的一端相连接、并沿所述主轴部外围向外延伸开来的支撑部，所述支撑部包括一支撑面；以及与所述主轴部相连接、并沿着向所述基片承载架的第一表面方向延伸一高度的插接部；所述支撑装置的插接部可分离地插接于所述凹进部内，从而使所述基片承载架放置于所述支撑装置上并由其支撑。本发明的基片承载架在基片加工过程中能够实现平衡、可靠地旋转。 |
