一种发光均匀的顶发射垂直腔面发射激光器及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111059856.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113659424A | 公开（公告）日 | 2021-11-16 |
| 申请公布号 | CN113659424A | 申请公布日 | 2021-11-16 |
| 分类号 | H01S5/02（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I;H01S5/183（2006.01）I;B08B3/08（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑君雄;崔雨舟;冉宏宇;王青 | 申请（专利权）人 | 深圳市中科光芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝龙四路2号安博科技宝龙厂区6号厂房101 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种发光均匀的顶发射垂直腔面发射激光器及其制备方法，该方法包括：在衬底上生长外延层（包括上下布拉格反射镜、缓冲层、有源层、过渡层、限制层、接触层）；通过光刻和干法刻蚀在外延层上形成台面结构；通过湿法处理对台面结构进行清洗；通过湿法氧化工艺氧化限制层，在中间形成出光孔；在获得的台面结构上镀膜金属形成上下电极。制备方法优点在于能够提高激光器出射激光的均匀性，并有效抑制氧化过程中出现的分层现象，从而提高顶发射垂直腔面发射激光器的可靠性和稳定性。通过本发明工艺制备得到的顶发射垂直腔面发射激光器克服了之前激光器出射光斑不均匀的问题，对开拓其在多个领域的应用十分有利。 |
