一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110617101.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113381288A | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN113381288A | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | H01S5/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑君雄;郑世进;崔雨舟;王青 | 申请（专利权）人 | 深圳市中科光芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京恒泰铭睿知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张静 |
| 地址 | 518100广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区黄阁北路449号龙岗天安数码创新园二号厂房B401-W | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及芯片制造技术领域，且公开了一种激光器芯片的化合物外延生长的制造方法，包括调温机构、回收机构，所述调温机构包括连接块，所述连接块内部活动连接有限位滑杆，所述连接块远离限位滑杆的一侧活动连接有缓冲弹簧，所述连接块左侧固定连接有调节拨片，所述调节拨片远离连接块的一端活动连接有电阻片，所述电阻片外部固定连接有紧固架，通过温度经判断杆传导至传动腔内，从而拉动连接块在限位滑杆上滑动，在连接块滑动的过程中其会同时带动调节拨片在电阻片上滑动，使得施加在电热丝上的电压大小发生改变，如此便达到了在第一次外延生长时自动平衡原理温度防止出现导热不均匀致使质量问题的效果。 |
