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一种NANDFLASH存储芯片坏区检测管理方法

基本信息

申请号 CN202011428749.8 申请日 -
公开（公告）号 CN114627932A 公开（公告）日 2022-06-14
申请公布号 CN114627932A 申请公布日 2022-06-14
分类号 G11C16/04（2006.01）I;G11C16/16（2006.01）I;G11C16/34（2006.01）I;G06F12/0882（2016.01）I 分类 信息存储;
发明人 胡红伟;吴智慧;邵星明 申请（专利权）人 南京长峰航天电子科技有限公司
代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 210061江苏省南京市江北新区星火路14号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种NAND FLASH存储芯片坏区检测管理方法，包括：根据NAND FLASH存储芯片的使用状态，判断坏区的类型；若判断为固有坏区，进行初始化扫描读取以记录当前NAND FLASH存储芯片的所有坏区地址；若判断为使用坏区，进行擦除读取以记录当前NAND FLASH存储芯片的所有坏区地址。本发明对于NAND FLASH的坏区管理，能够实现新出厂NAND FLASH存储芯片，以及使用中的NAND FLASH存储芯片的坏区检测，具有通用性，实用性强的特点，适用于所有NAND FLASH，极大地提升芯片的使用寿命，使得芯片的每一个存储区都能够得到平均化的使用，提升芯片的抗磨损度。