一种高性能的DOB光源的结构

基本信息

申请号 CN201921312113.X 申请日 -
公开(公告)号 CN210040199U 公开(公告)日 2020-02-07
申请公布号 CN210040199U 申请公布日 2020-02-07
分类号 H01L25/16;H01L23/367;H01L33/50;F21V29/70;F21V29/89 分类 基本电气元件;
发明人 申巨 申请(专利权)人 深圳伊帕思新材料科技有限公司
代理机构 深圳市中科创为专利代理有限公司 代理人 谭雪婷;谢亮
地址 518000 广东省深圳市光明新区公明街道合水口社区第七工业区星皇科技园3楼A区
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开一种高性能的DOB光源的结构,包括:铝基板,恒流驱动芯片,荧光胶层,金线,分别粘结在所述铝基板上的BT绝缘层、发光晶片、导热片,设置在所述BT绝缘层上的线路层,阻焊油墨层,有机透明层;所述BT绝缘层设置有导热孔,所述导热片设置在所述导热孔内,所述恒流驱动芯片设置在所述导热孔上方。本实用新型通过将导热片设置在恒流驱动芯片与铝基板之间,导热片可将恒流驱动芯片产生的热量传到至铝基板,从而加强恒流驱动芯片的散热,延长了恒流驱动所需的电子元器件的寿命,继而延长了DOB光源的寿命。有机透明层可隔开铝基板与荧光胶层,从而可有效避免铝基板被硫化,继而可延长DOB光源的使用寿命。