一种单晶硅快速退火辅助降温装置
基本信息
| 申请号 | CN202122002212.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216074100U | 公开（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申请公布号 | CN216074100U | 申请公布日 | 2022-03-18 |
| 分类号 | C30B33/02（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 马飞;娄中士;李鹏飞;张净源;闫鹏飞;袁长宏;周宏邦;贾海洋;张强;王淼;张恒 | 申请（专利权）人 | 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 010070内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种单晶硅快速退火辅助降温装置，包括水平方向设置的工作台，用于放置待退火处理的单晶硅；竖直方向上设置的支撑杆，支撑杆一端设置于工作台上，支撑杆另一端设置有悬挂杆，悬挂杆为水平方向上设置，悬挂杆一端与支撑杆连接；悬挂设置于悬挂杆下方的主风扇，用于向工作台提供风冷，辅助单晶硅快速退火降温。本实用新型解决了目前现有技术由于RTP设备自身的限制，处理结束后，单晶硅自然降温速率较低，降温慢，无法满足实际生产需求，影响生产效率的问题；提供一种单晶硅快速退火辅助降温装置，该辅助降温装置可以对经过RTP处理后的单晶硅样品进行快速冷却，可以显著增加单晶硅的退火降温效率，提高生产效率。 |
