一种降低直拉单晶氧、碳含量的排气装置
基本信息
| 申请号 | CN202022410624.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213866490U | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN213866490U | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 孔凯斌;郝朝旭;侯明超;王淼;张强;郝小龙 | 申请（专利权）人 | 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 010070内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种降低直拉单晶氧、碳含量的排气装置，包括：排气孔和排气管，所述排气孔设置在单晶炉上，与所述单晶炉成一定角度，用于连接所述排气管；所述排气管通过所述排气孔连通所述单晶炉内部，与所述单晶炉成一定角度设置，用于排出所述单晶炉内的气体。本实用新型的有益效果是有效的解决直拉单晶炉内气体流动时上炉盖拱形位置容易形成局部涡流，负压较低，导致排气效率降低，可能引起杂质聚集，导致碳高或氧高的问题。 |
