一种改善直拉半导体拉晶后氧化的结构
基本信息
| 申请号 | CN202022412802.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213866491U | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN213866491U | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | C30B15/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张庆虎;李仕权;周宏邦;王淼;张强;刘伟;王立刚;李成 | 申请（专利权）人 | 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 栾志超 |
| 地址 | 010070内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种改善直拉半导体拉晶后氧化的结构，包括：氧化阀、炉体和真空泵，其特征在于：所述炉体、所述氧化阀和所述真空泵依次连接。本实用新型的有益效果是通过优化氧化工艺，氧化过程允许空气直接进入管道，避免大量的氧与高温状态的热场件接触，增加热场件的使用寿命。同时结构简单，维修方便，加工成本低、效果明显，大大降低了热场的腐蚀程度。 |
