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沟槽型MOS结构肖特基二极管及其制备方法

基本信息

申请号 CN201811224311.0 申请日 -
公开（公告）号 CN111081754A 公开（公告）日 2020-04-28
申请公布号 CN111081754A 申请公布日 2020-04-28
分类号 H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 分类 基本电气元件;
发明人 王艳春;周亮 申请（专利权）人 宁波比亚迪半导体有限公司
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 宁波比亚迪半导体有限公司
地址 315800 浙江省宁波市保税区南区庐山西路155号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了沟槽型MOS结构肖特基二极管及其制备方法。所述沟槽型MOS结构肖特基二极管包括N型掺杂衬底、设置在所述N型掺杂衬底上表面上的N型掺杂外延层和从所述N型掺杂外延层的上表面向所述N型掺杂外延层中延伸的多个沟槽，其中，所述N型掺杂外延层中的掺杂浓度由上至下逐渐升高。由此，通过改变肖特基二极管中N型掺杂外延层的杂质掺杂浓度(N型掺杂外延层中的掺杂浓度由上至下逐渐升高)，可以改变N型掺杂外延层电场强度分布，进而降低沟槽底部拐角处的峰值电场，达到改善肖特基二极管的反向阻断特性和器件的正向导通特性，即降低肖特基二极管的反向漏电流，升高反向击穿电压。