快恢复二极管及制备方法、电子设备
基本信息
| 申请号 | CN201710462474.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109148605B | 公开（公告）日 | 2022-02-18 |
| 申请公布号 | CN109148605B | 申请公布日 | 2022-02-18 |
| 分类号 | H01L29/868（2006.01）I;H01L29/47（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;CN 104716038 A,2015.06.17;CN 101789400 A,2010.07.28;CN 103904135 A,2014.07.02;CN 106558623 A,2017.04.05;CN 103178095 A,2013.06.26;CN 105826399 A,2016.08.03;CN 101540283 A,2009.09.23;CN 103887346 A,2014.06.25;CN 105489658 A,2016.04.13;CN 103180961 A,2013.06.26;CN 1172351 A,1998.02.04;CN 105762174 A,2016.07.13;CN 105489639 A,2016.04.13;DE 102014118874 A1,2016.06.23;CN 103681786 A,2014.03.26;US 5278443 A,1994.01.11;US 2011175106 A1,2011.07.21 张海涛;张斌..大功率快速软恢复二极管概述.《半导体情报》.2001,1-9.;王智.快恢复二极管的研究.《中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑》.2013,5-50.;王艳春.基于PLC的变频器调速系统设计.《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅱ辑》.2011,6-30.;Amemiya, Y.;Mizushima, Y..Bipolar-mode Schottky contact and applications to high-speed diodes.《IEEE Transactions on Electron Devices》.1984,35-42.;张玉明;牛新军;张义门..SiC和Si混合PiN/Schottky二极管的模拟和设计.《电力电子技术》.2002,56-59.;Zhou, L;Zhang, S;Yin, WY;and et al..Immunity Analysis and Experimental Investigation of a Low-Noise Amplifier Using a Transient Voltage Suppressor Diode Under Direct Current Injection of HPM Pulses.《IEEE TRANSACTIONS ON ELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY》.2014,1715-1718.;Huang, YR;Wachutka, G..Comparative Study of Contact Topographies of 4.5kV SiC MPS Diodes for Optimizing the Forward Characteristics.《2016 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES （SISPAD）》.2016,117-120. | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王艳春;周亮 | 申请（专利权）人 | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳众鼎专利商标代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 吴英铭 |
| 地址 | 518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出了快恢复二极管及制备方法、电子设备。该快恢复二极管包括：衬底，所述衬底中形成有欧姆接触区；外延层，所述外延层设置在所述衬底上；离子掺杂区，所述离子掺杂区设置在所述外延层中远离所述衬底的一侧；第一金属区，所述第一金属区设置在所述外延层中，且所述第一金属区与所述离子掺杂区相邻设置，所述第一金属区与所述外延层之间形成肖特基接触；第一电极，所述第一电极设置在所述外延层远离所述衬底一侧的表面上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述衬底远离所述外延层的一侧。由此，可以使该快恢复二极管具有较快的反向恢复时间、较小的正向导通压降以及较大的恢复软度。 |
