在硅基体中蚀刻沟槽的方法及其应用
基本信息
| 申请号 | CN201811456891.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111261509A | 公开（公告）日 | 2020-06-09 |
| 申请公布号 | CN111261509A | 申请公布日 | 2020-06-09 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 钱炜彬 | 申请（专利权）人 | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 地址 | 315800浙江省宁波市保税区南区庐山西路155号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了在硅基体中蚀刻沟槽的方法及其应用。该在硅基体中蚀刻沟槽的方法包括：在硅基体的上表面上形成保护图案；利用干法蚀刻对所述硅基体未被所述保护图案覆盖的上表面进行蚀刻，其中，所述干法蚀刻采用的蚀刻混合气体中含有氯气、溴化氢和氦氧气体。该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，在实现较窄的沟槽宽度时也可以得到需求的沟槽深度，所形成的沟槽接近垂直、无损伤、平坦光滑，且纵横比高。 |
