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光电二极管及其制造工艺

基本信息

申请号 CN201711192894.9 申请日 -
公开（公告）号 CN109841701B 公开（公告）日 2021-09-10
申请公布号 CN109841701B 申请公布日 2021-09-10
分类号 H01L31/103;H01L31/0352;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 刘东庆 申请（专利权）人 宁波比亚迪半导体有限公司
代理机构 深圳众鼎专利商标代理事务所（普通合伙） 代理人 谭果林
地址 518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了光电二极管，包括耗尽层、阳极金属，及顺序设置的阴极金属、N型掺杂阴极区、P型掺杂阳极区和绝缘层；阴极金属、N型掺杂阴极区和P型掺杂阳极区电性导通，耗尽层封闭于N型掺杂阴极区与P型掺杂阳极区之间，阳极金属的一端穿过绝缘层并与P型掺杂阳极区电性导通。还提供了光电二极管的制造工艺：在N型掺杂阴极区上外延生长出感光区；在感光区的上外延生长出P型掺杂阳极区；在P型掺杂阳极区上生长出绝缘层；在绝缘层上的接触窗口处沉积阳极金属，在N型掺杂阴极区背离P型掺杂阳极区的一侧沉积阴极金属；耗尽感光区形成耗尽层。P型掺杂阳极区和N型掺杂阴极区封闭耗尽层，避免耗尽层外露，有效消除表面漏电，明显增加信噪比。