一种反应室分布式石英星盘阵列粗糙度控制的装置
基本信息
| 申请号 | CN202021612076.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212713744U | 公开（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申请公布号 | CN212713744U | 申请公布日 | 2021-03-16 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘烨 | 申请（专利权）人 | 陕西宇腾电子科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 710000陕西省西安市雁塔区长安南路农林壹号小区1号楼1单元1902 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种反应室分布式石英星盘阵列粗糙度控制的装置，包括石英星盘，所述石英星盘的中部开设有圆孔，所述石英星盘的四周开设有多个弧口。本实用新型石英星盘上设有的弧口与石墨贴合，MOCVD工艺在基板表面形成薄膜的同时，不会在反应腔体内形成残余沉积物，同时基板表面也不会产生缺陷，大大提高半导体的电学性能。 |
