一种薄膜电晶体电特性优化方法
基本信息
| 申请号 | CN202110563881.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113355745A | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN113355745A | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | C30B25/16;C30B29/38;H01L21/66 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 林立腾 | 申请（专利权）人 | 陕西宇腾电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人 | 沈颖 |
| 地址 | 710061 陕西省西安市雁塔区长安南路农林壹号小区一号楼一单元1901室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种薄膜电晶体电特性优化方法，先进行基板清洗和洁净度检测，然后采用高低DR结构进行SiNx薄膜沉积并完成薄膜电晶体样本制作，然后薄膜电晶体样本的电特性量测，最后根据电特性筛选最优样本参数组合，即最优的加工沉积速率与薄膜厚度值组合；本发明在不影响产能的基础上，通过将薄膜沉积设定为High Depo Rate与Low Depo Rate组合的方式，在Low Depo Rate的情况下减小SiNx的厚度以增加开态电流且不会同时增加关态电流，调整优化SiNx薄膜中高沉积速率沉积膜厚与低沉积速率沉积膜厚容载比，实现获取最优加工参数组合，提升薄膜电晶体电气性能的效果。 |
