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一种低电容高压放电管及其制备方法

基本信息

申请号	CN202011370830.5	申请日	-
公开（公告）号	CN113161427A	公开（公告）日	2021-07-23
申请公布号	CN113161427A	申请公布日	2021-07-23
分类号	H01L29/87;H01L29/06;H01L21/329	分类	基本电气元件;
发明人	王凯健;柯亚威;张鹏;周健	申请（专利权）人	江苏吉莱微电子股份有限公司
代理机构	南京正联知识产权代理有限公司	代理人	卢海洋
地址	226200 江苏省南通市启东市汇龙镇牡丹江西路1800号
法律状态	-

摘要

本发明公开一种低电容高压放电管，N型硅片两面设有N⁺隔离区，N型硅片两面设有P^‑BASE区，N型硅片和P^‑BASE区上有P⁺⁺区，P^‑BASE区上方P⁺⁺区和N⁺隔离区之间有P‑BASE区中N⁺区，N型硅片两面两边上设有玻璃钝化层，并在玻璃钝化层上湿法腐蚀出沟槽，N型硅片上的P^‑BASE区上沉淀有金属层，金属层两侧的P^‑BASE区设有氧化层和LTO层。步骤：1）选择N型硅片；2）氧化；3）N⁺隔离区；4）形成P⁺⁺肼区；5）形成P‑BASE区；6）进行P‑BASE区中N⁺区光刻；7）台面光刻，腐蚀出沟槽；8）硼磷硅玻璃钝化、接触孔刻蚀；9）LTO层，沉积2000‑8000Å的LTO层；10）形成电极，形成金属层；11）合金。通过横向侧腐，减小了N+隔离区处的PN结横截面积，从而减小了电容值，有效降低了器件的残压，降低电容值。