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一种单向浪涌增强型半导体放电管芯片

基本信息

申请号	CN202022791091.9	申请日	-
公开（公告）号	CN213692059U	公开（公告）日	2021-07-13
申请公布号	CN213692059U	申请公布日	2021-07-13
分类号	H01L29/06;H01L29/74	分类	基本电气元件;
发明人	柯亚威;王凯健;张鹏;刘志雄	申请（专利权）人	江苏吉莱微电子股份有限公司
代理机构	南京正联知识产权代理有限公司	代理人	卢海洋
地址	226200 江苏省南通市启东市汇龙镇公园北路1261号
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种单向浪涌增强型半导体放电管芯片，包括N型硅片，N型硅片有正面N+区，N型硅片正面有正面P‑BASE区，正面P‑BASE区内光刻有N+区，N型硅片背面有背面P‑BASE区和背面P+深结区,背面P+深结区位于背面P‑BASE区的上方，N型硅片的顶部和底部的四周设有上下对称的环状钝化沟槽，沟槽内设有玻璃钝化层，N型硅片的表面生长有氧化层，氧化层间隙刻蚀有电极。本实用新型在芯片背面引入P+深结区，减短了电流回路的距离，增强器件电流泄放能力。同时，在芯片正面设置多个正面N+区，正面P‑BASE区内的N+区采用多元胞结构，避免了电流集密度中，有效增强了器件电流泄放能力，从而提高了器件抗浪涌冲击能力。