一种镓硼同步扩散工艺台面结构晶闸管芯片及其制作工艺专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种镓硼同步扩散工艺台面结构晶闸管芯片及其制作工艺

基本信息

申请号	CN201810508350.7	申请日	-
公开（公告）号	CN108831921A	公开（公告）日	2018-11-16
申请公布号	CN108831921A	申请公布日	2018-11-16
分类号	H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332	分类	基本电气元件;
发明人	宋锐;周健;候云娣	申请（专利权）人	江苏吉莱微电子股份有限公司
代理机构	南京正联知识产权代理有限公司	代理人	卢海洋
地址	226200 江苏省南通市启东市汇龙镇牡丹江西路1800号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种镓硼同步扩散工艺台面结构晶闸管芯片及其制作工艺，芯片包括从上往下依次设置的N+型阴极区1、正面P型短基区、硅单晶片、背面P型区，芯片两端设置对通隔离扩散区，芯片正面表面设有SiO2保护膜，背面表面设有金属电极，芯片正面的正面P型短基区内设有正面沟槽，背面在对通隔离扩散区设有背面应力平衡槽，正面沟槽之间设有门极铝电极、阴极铝电极，正面P型短基区内阴极铝电极下方设有N+型阴极区，本发明利用镓扩散系数比硼扩散系数大的特点，采取镓硼同扩工艺，即可获得较低的体内浓度、较低的电容，使击穿电压VBR与导通电压VBO极为接近，又可获得较高的表面浓度与短基区横向电阻，同时扩散时间较短，节约了生产成本。