具有低电容低残压的晶闸管浪涌抑制器及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011422784.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112331717A | 公开（公告）日 | 2021-02-05 |
| 申请公布号 | CN112331717A | 申请公布日 | 2021-02-05 |
| 分类号 | H01L29/74;H01L21/332 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李超;张鹏;周健;刘志雄 | 申请（专利权）人 | 江苏吉莱微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 | 代理人 | 卢海洋 |
| 地址 | 226200 江苏省南通市启东市汇龙镇公园北路1261号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种同时具有低电容和低残压特性的晶闸管浪涌抑制器，包括P型硅片，其制作方法主要包括：P型衬底准备——氧化层生长——N+区光刻，预扩散再分布——P型衬底中P+区光刻，预扩散再分布——P型衬底中N‑BASE区预扩散再分布——N‑BASE区中N++光刻，扩散——N‑BASE区中P++光刻，扩散——芯片边缘沟槽光刻、刻蚀——沟槽钝化——接触孔光刻、刻蚀——金属镀膜、光刻、刻蚀——合金、退火等。本发明通过体内电场的优化，设计出同时具有低电容和低残压特性的晶闸管浪涌抑制器。 |
