接触层的制作方法、半导体激光器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202010574296.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111682400B | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN111682400B | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01S5/042;H01S5/028 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 程洋;王俊;李泉灵;谭少阳;潘华东;廖新胜 | 申请（专利权）人 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张乐乐 |
| 地址 | 215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种接触层的制作方法、半导体激光器及其制作方法，接触层的制作方法为先在所述半导体激光器的外延层上形成非掺杂半导体层，再对所述非掺杂半导体层进行掺杂。采用此制作方法制作的接触层包括掺杂区域和非掺杂区域，非掺杂区域电流无法注入，只有掺杂区域能够注入电流，并且掺杂区域内能够注入电流面积沿腔长方向逐渐增大，以抵消谐振腔内的光子密度分布不均导致的载流子密度和增益沿增反膜到减反膜方向不均匀分布的影响，使载流子在腔长方向均匀分布，提高半导体激光器的输出功率和性能稳定性。半导体激光器的电极直接在接触层上制作，电极与接触层之间无介质薄膜，电极与接触层粘附牢固、不易脱落。 |
