一种半导体激光器外延结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110424174.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113140965A | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN113140965A | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H01S5/20（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王俊;王邦国;谭少阳;周立;廖新胜;闵大勇 | 申请（专利权）人 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李静玉 |
| 地址 | 215000江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器外延结构及其制备方法，该结构包括：相对设置的第一波导层和第二波导层、以及位于第一波导层和第二波导层之间的有源层；第一波导层包括：相对设置的第一波导膜层和第二波导膜层；位于第一波导膜层和第二波导膜层之间的横模调制层，第一横模调制层的折射率分别小于第一波导膜层的折射率和第二波导膜层的折射率。通过实施本发明，在第一波导层中设置第一横模调制层，第一横模调制层的折射率小于两侧波导膜层的折射率，由此，设置的横模调制层可以调制基膜及高阶模式分布，使得高阶模限制因子降低，抑制高阶模式激射，从而解决现有技术中半导体激光器件高阶模易激射的问题。 |
