一种微透镜阵列及其制备方法、垂直腔面发射激光器结构专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种微透镜阵列及其制备方法、垂直腔面发射激光器结构

基本信息

申请号	CN202110756538.5	申请日	-
公开（公告）号	CN113484940A	公开（公告）日	2021-10-08
申请公布号	CN113484940A	申请公布日	2021-10-08
分类号	G02B3/00（2006.01）I;H01S5/02（2006.01）I;H01S5/183（2006.01）I	分类	光学;
发明人	苗霈;刘恒;王俊;刘畅;肖垚;谷飞	申请（专利权）人	苏州长光华芯光电技术股份有限公司
代理机构	北京三聚阳光知识产权代理有限公司	代理人	李静玉
地址	215000江苏省苏州市高新区昆仑山路189号科技城工业坊-A区2号厂房-1-102、2号厂房-2-203
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种微透镜阵列及其制备方法、垂直腔面发射激光器结构，方法包括：在衬底的第一表面形成微透镜形状的光刻胶掩膜；基于刻蚀气体和钝化气体，采用干法刻蚀工艺对光刻胶掩膜和衬底进行刻蚀，使得衬底形成预设形状的微透镜阵列，在进行干法刻蚀的过程中，调节钝化气体的比例，使得刻蚀的选择比比值逐渐减小。通过实施本发明，在衬底上形成光刻胶掩膜，并对光刻胶掩膜和衬底进行干法刻蚀得到微透镜阵列；在干法刻蚀的过程中，加入钝化气体改变干法刻蚀的选择比，同时，在干法刻蚀的过程中，通过调整钝化气体的比例，使得刻蚀的选择比逐渐减小，即采用分步刻蚀的方式，每步采用不同的选择比，最终得到具有较好准直效果的高质量微透镜阵列。