直拉单晶炉用石墨坩埚
基本信息
| 申请号 | CN200820156013.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN201317827Y | 公开（公告）日 | 2009-09-30 |
| 申请公布号 | CN201317827Y | 申请公布日 | 2009-09-30 |
| 分类号 | C30B15/10(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 施美生;戴士隽 | 申请（专利权）人 | 九晶（雅安）电子材料有限公司 |
| 代理机构 | 上海天翔知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈学雯 |
| 地址 | 201617上海市松江区长塔路399号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种直拉单晶炉用石墨坩埚，包括石墨坩埚本体，所述石墨坩埚本体包括三瓣块体，石墨坩埚内壁的三瓣块体的接口处的弯曲部为“R”部，其特征在于：所述石墨纸覆盖于三瓣接口处“R”部的位置。所述石墨纸的面积大于接口处“R”部；所述石墨纸的面积与石墨坩埚的大小相匹配。本实用新型延长三瓣埚的使用寿命20％以上；增加单晶硅产量2％以上，因避免了在生产过程中三瓣埚开裂而使单晶生长终止现象的发生；具有操作简单、改装方便、成本低廉的优点。 |
