一种半导体TSV结构的制造工艺方法及半导体TSV结构
基本信息
| 申请号 | CN201910485230.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110277348B | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN110277348B | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L21/768（2006.01）I;H01L23/538（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李航;孙晨;于连忠 | 申请（专利权）人 | 浙江芯动科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京众达德权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘杰 |
| 地址 | 314000浙江省嘉兴市南湖区亚中路551号2号楼1层101室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造工艺技术领域，尤其涉及一种半导体TSV结构的制造工艺方法及其半导体TSV结构，该方法包括：在硅片正面刻蚀正面环状间隙，所述正面环状间隙包括内壁、外壁，所述外壁或所述内壁包括一个以上的由上至下向相对侧壁的方向凸起的结构，所述环状间隙包围的硅片部分作为导电结构；在所述正面环状间隙的内壁和外壁生长绝缘层，由于利用刻蚀大间隙的槽的刻蚀深度来刻蚀形成带凸起结构的环状间隙，不仅可以降低单独刻蚀小间隙槽中深度比限制的难度，而且可以利用形成的小间隙槽来减小深孔填充的难度，在提高刻蚀效率的同时也提高了填充效率，进而提高半导体TSV结构的加工效率。 |
