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平面高压串联LED集成芯片及其制造方法

基本信息

申请号	CN201510108532.1	申请日	-
公开（公告）号	CN104701307B	公开（公告）日	2018-09-04
申请公布号	CN104701307B	申请公布日	2018-09-04
分类号	H01L25/075;H01L33/00;H01L33/62;H01L33/60	分类	基本电气元件;
发明人	吴俊纬	申请（专利权）人	广州南科集成电子有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	510663 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城天丰路6号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种平面高压串联LED集成芯片及其制造方法。芯片包括带有蓝宝石衬底、缓冲层、N型外延层、量子阱发光层、P型外延层、透光导电层的外延片，外延片上形成若干个串联LED器件，各LED器件四周外延片设阶梯孔，阶梯孔第一阶梯深入到N型外延层内、第二阶梯深入到蓝宝石衬底上表面形成隔离槽，各LED器件于透光导电层上均设P型内电极，阶梯孔及透光导电层覆盖氮化硅层，氮化硅层上覆盖旋涂玻璃层填平阶梯孔，旋涂玻璃层上设将各LED器件P+、N‑电极串联连接的金属连接层及阴、阳极接点，蓝宝石衬底背面设背金层。方法包括形成外延片、P型内电极、阶梯孔、氮化硅层、旋涂玻璃层、电极、连接层及接点、背金层的步骤。本发明可应用于LED芯片领域。