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一种半导体功率模块及其制备方法

基本信息

申请号 CN202010097857.5 申请日 -
公开（公告）号 CN111276403B 公开（公告）日 2021-08-31
申请公布号 CN111276403B 申请公布日 2021-08-31
分类号 H01L21/48（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张正 申请（专利权）人 中山市木林森微电子有限公司
代理机构 北京路胜元知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 路兆强
地址 528415广东省中山市小榄镇木林森大道1号6幢1楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种半导体功率模块及其制备方法，该方法包括以下步骤：将半导体功率芯片临时固定在第一临时承载基板上，在所述半导体功率芯片的第二表面形成一凹陷腔体，所述凹陷腔体在垂直方向上与所述功能核心区域相重叠，在所述半导体功率芯片的所述第二表面上沉积导热绝缘层，在所述凹陷腔体中设置导热硅胶层；接着将散热器设置于所述半导体功率芯片的所述第二表面上，使得多个凸起嵌入到所述导热硅胶层中，接着在散热器上固定粘结第二临时承载基板，并去除所述第一临时承载基板，将所述半导体功率芯片倒装安装在电路布线图案上，接着去除所述第二临时承载基板，接着在所述散热基底上形成模塑层。