一种冷却可控的碳化硅单晶生长装置
基本信息
| 申请号 | CN202122399065.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN215713525U | 公开（公告）日 | 2022-02-01 |
| 申请公布号 | CN215713525U | 申请公布日 | 2022-02-01 |
| 分类号 | C30B29/36（2006.01）I;C30B35/00（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘慧强;周立平;魏汝省;张继光;王琪;李明;靳霄曦;张馨丹 | 申请（专利权）人 | 山西烁科晶体有限公司 |
| 代理机构 | 太原高欣科创专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 崔雪花;冷锦超 |
| 地址 | 030006山西省太原市综改示范区太原唐槐园区唐槐路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种冷却可控的碳化硅单晶生长装置，属于碳化硅晶体技术领域；包括晶体生长室，晶体生长室设置有冷却风箱，冷却风箱的送风风腔通过送风管道连接有风冷控制装置，冷却风箱的出风口通过排风管道与风冷控制装置的进风口相连接；风冷控制装置包括热交换器，热交换器连接有水冷循环装置；热交换器的气体管路上连接有过滤器；风冷控制装置的进风口连接有风机；本实用新型通过对送回风温度和流量控制，实现对生长热场的有效温度调节，利于工艺调整，提高了对冷却效果的控制能力和对工艺过程的配合能力。 |
