碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法
基本信息
| 申请号 | CN202110917059.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113601376A | 公开（公告）日 | 2021-11-05 |
| 申请公布号 | CN113601376A | 申请公布日 | 2021-11-05 |
| 分类号 | B24B29/02（2006.01）I;B24B49/00（2012.01）I | 分类 | 磨削；抛光; |
| 发明人 | 赵丽霞;杨牧轩;李斌;李鹏;原帅武;牛玉龙;张峰;靳霄曦 | 申请（专利权）人 | 山西烁科晶体有限公司 |
| 代理机构 | 太原高欣科创专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 崔雪花;冷锦超 |
| 地址 | 030006山西省太原市综改示范区太原唐槐园区唐槐路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体材料加工技术领域，公开了一种碳化硅双面抛光中单面抛光速率的测定方法；具体是先对待测定抛光片的碳面和硅面分别进行边缘倒角处理；分别测量硅面和碳面的倒角边缘，得到硅面和碳面的面幅长度及角度参数，之后分别对硅面和碳面进行抛光，记录抛光时长，再次测量硅面和碳面的面幅长度；并计算硅面和碳面的厚度减少量；通过厚度减少量计算硅面和碳面的抛光速率；本发明可以分别监控硅面及碳面的抛光速率，精确度高，抛光片表面的损伤减小，不增加任何成本和工序，成本低，简单方便，适用于批量生产。 |
