一种半导体级硅粉的纯化方法
基本信息
| 申请号 | CN202111337818.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113772675A | 公开（公告）日 | 2021-12-10 |
| 申请公布号 | CN113772675A | 申请公布日 | 2021-12-10 |
| 分类号 | C01B33/037（2006.01）I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 张辰宇;赵丽霞;魏汝省;马康夫;方芃博;陈琪;李刚;许正;靳霄曦;张馨丹 | 申请（专利权）人 | 山西烁科晶体有限公司 |
| 代理机构 | 太原高欣科创专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 崔雪花;冷锦超 |
| 地址 | 030006山西省太原市综改示范区太原唐槐园区唐槐路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体级硅粉的纯化方法，属于半导体材料加工技术领域；该方法是先将待纯化的硅粉置于感应加热炉内，在真空状态下升温至1000‑1300℃；真空度为4.5‑5.5×102mbar；之后在炉腔中注入高纯H至700‑900mbar；随后再抽真空至原始真空度；将氯化氢与氩气以流量比7‑9:1.5‑2.5通入腔体内，通气至压力为700‑900 mbar，保持4‑6 h，之后将炉体内压力降至＜10 mbar；本发明有效提高硅粉的纯度，纯化后的硅粉满足生产高纯碳化硅粉料的纯度要求；同时也降低了整个纯化过程的危险性。 |
