一种优化碳化硅晶片电阻率的辐照方法
基本信息
| 申请号 | CN202110867806.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113668064A | 公开（公告）日 | 2021-11-19 |
| 申请公布号 | CN113668064A | 申请公布日 | 2021-11-19 |
| 分类号 | C30B33/04（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘晓星;魏汝省;赵丽霞;张峰;李鹏;范云;靳霄曦;牛玉龙 | 申请（专利权）人 | 山西烁科晶体有限公司 |
| 代理机构 | 太原高欣科创专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 崔雪花;冷锦超 |
| 地址 | 030006山西省太原市综改示范区太原唐槐园区唐槐路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于半导体材料加工技术领域，是一种优化碳化硅晶片电阻率的辐照方法；步骤包括：采用电子加速器对晶片进行辐照；先水平辐照晶片的小面区域；之后将晶片顺时针旋转90°，以晶片中轴线为界依次辐照中轴线一侧没有小面区域的区域和中轴线另一侧存在小面区域的区域；同时限定了电子加速器的输出功率、直流高压、电流、电子束流强度，以及辐照长度宽度、电子束出束口与辐照晶片的距离、辐照时间；本发明补偿了浅能级的非故意杂质缺陷，有效提升晶片的电阻率及晶片内与晶片间的电阻均匀性。 |
