首页/ 山西烁科晶体有限公司/ 专利详情

碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法

基本信息

申请号 CN202110867779.7 申请日 -
公开（公告）号 CN113664694A 公开（公告）日 2021-11-19
申请公布号 CN113664694A 申请公布日 2021-11-19
分类号 B24B29/02（2006.01）I;B24B1/00（2006.01）I;G01B21/08（2006.01）I 分类 磨削；抛光;
发明人 赵丽霞;魏汝省;李斌;李鹏;原帅武;牛玉龙;张峰;靳霄曦 申请（专利权）人 山西烁科晶体有限公司
代理机构 太原高欣科创专利代理事务所（普通合伙） 代理人 崔雪花;冷锦超
地址 030006山西省太原市综改示范区太原唐槐园区唐槐路5号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明属于半导体材料加工技术领域，是一种碳化硅双面抛光中硅面及碳面去除厚度的测定方法；具体是先对待测定的抛光片进行外延生长形成外延层；测量抛光片连同外延层的整体总厚度T总1以及外延层的厚度T外1；进行双面抛光，时间为t；抛光后再次测试抛光片连同外延层的整体总厚度T总2和外延层厚度T外2；计算△T总＝T总1－T总2；△T硅面＝T总1－T总2；总抛光速率＝△T总/t；硅面抛光速率＝△T硅面/t；碳面抛光速率＝（△T总－△T硅面）/t；本发明方法可以分别监控硅面及碳面的去除量，即使双面去除不一致时，也可以识别到单面的去除量，避免了单面损伤层无法去除的问题，精确度高，抛光片表面的损伤减小。