一种应用于SOI CMOS射频开关的控制电路专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种应用于SOI CMOS射频开关的控制电路

基本信息

申请号	CN201510131104.0	申请日	-
公开（公告）号	CN104796171B	公开（公告）日	2018-09-11
申请公布号	CN104796171B	申请公布日	2018-09-11
分类号	H04B1/40	分类	电通信技术;
发明人	刘斌;陶亮;章国豪	申请（专利权）人	广州钧衡微电子科技有限公司
代理机构	广州三环专利商标代理有限公司	代理人	广东拓思软件科学园有限公司
地址	510000 广东省广州市萝岗区广州经济技术开发区科学城彩频路11号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种应用于SOI CMOS射频开关的控制电路，包括带隙基准电路，低压差线性稳压器，环形振荡器，电压反相器，非交叠时钟电路、电荷泵及电平转换电路，其中该控制电路的核心单元为一个产生负电压的电荷泵电路。在本发明中，带隙基准电路与低压差线性稳压器相连，低压差线性稳压器的输出端与电荷泵相连，所述环形振荡器的输出端经反相器I1与反相器I2的输入端相连，反相器I1和反相器I2的输出端与非交叠时钟产生电路的输入端相连，非交叠时钟产生电路的四个输出端与电荷泵的输入端相连，电荷泵的输出端OUTCP经过电平转换电路为SOI CMOS射频开关提供控制。本发明的能产生负电压的电荷泵能快速启动且具有低稳态电流，可以保证在大射频信号条件下射频开关管能处于很好的关闭状态，从而改善射频开关的线性和隔离度。