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一种用于检测共晶键合中合金化程度的结构

基本信息

申请号 CN201410148635.6 申请日 -
公开（公告）号 CN103928364A 公开（公告）日 2014-07-16
申请公布号 CN103928364A 申请公布日 2014-07-16
分类号 H01L21/66(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 焦斌斌;曾立天 申请（专利权）人 江苏艾特曼电子科技有限公司
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 江苏艾特曼电子科技有限公司
地址 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号国际创新园C2楼三楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公布了一种用于检测共晶键合中合金化程度的结构，其特征在于：所述结构包括在共晶键合衬底上与键合层相连的测试电极，所述测试电极设置在键合层与键合衬底之间，覆盖键合层区域，所述测试电极上引出引线焊盘。本发明提供的用于检测键合中合金化程度的结构与方法，通过在键合环上直接制作电极与测试结构，可以单独测试晶圆上任何区域的合金情况，对工艺均匀性进行评估；本发明不受衬底材质的影响，可以在任何衬底或衬底上表面材料情况下进行合金化分析；本发明电极电阻的测试接法采用四探针法和阻值对比法，可以准确的测量出键合环电导率，精度与分辨率都远高于现有技术。